半導體設備泛指用于生產各類半導體產品所需的生產設備，屬于半導體行業產業鏈的關鍵支撐環節。半導體設備是半導體產業的技術先導者，芯片設計、晶圓制造和封裝測試等需在設備技術允許的范圍內設計和制造，設備的技術進步又反過來推動半導體產業的發展。

以半導體產業鏈中技術難度高、附加值、工藝復雜的集成電路為例，應用于集成電路領域的設備通常可分為前道工藝設備（晶圓制造）和后道工藝設備（封裝測試）兩大類。

其中的前道晶圓制造中的七大步驟分別為氧化／擴散，光刻，刻蝕，清洗，離子注入，薄膜生長，拋光。每個步驟用到的半導體設備具體如下：

一、氧化／擴散／退火

氧化是將硅片放置于氧氣或水汽等氧化劑的氛圍中進行高溫熱處理，在硅片表面發生化學反應形成氧化膜的過程；擴散是指在高溫條件下，利用熱擴散原理將雜質元素按工藝要求摻入硅襯底中，使其具有特定的濃度分布，從而改變硅材料的電學特性；退火是指加熱離子注入后的硅片，修復離子注入帶來的晶格缺陷的過程。

擴散爐

擴散爐用于大規模集成電路、分立器件、電力電子、光電器件和光導纖維等行業的擴散、氧化、退火、合金及燒結等工藝。擴散工藝的主要用途是在高溫條件下對半導體晶圓進行摻雜，即將元素磷、硼擴散入硅片，從而改變和控制半導體內雜質的類型、濃度和分布，以便建立起不同的電特性區域。

氧化爐

為半導體材料進氧化處理，提供要求的氧化氛圍，實現半導體設計預期的氧化處理，是半導體加工過程不可或缺的一個環節。

退火爐

半導體器件制造中使用的一種工藝設備，其包括加熱多個半導體晶片以影響其電性能。熱處理是針對不同的效果而設計的。可以加熱晶片以摻雜劑，將薄膜轉換成薄膜或將薄膜轉換成晶片襯底界面，使致密沉積的薄膜，改變生長的薄膜的狀態，修復注入的損傷，移動摻雜劑或將摻雜劑從一個薄膜轉移到另一個薄膜或從薄膜進入晶圓襯底。